Synthèse rapide

• Support physique de mémoire (DIP, SIMM, DIMM, RDRAM)
• Organisation et structure physique des cellules mémoire
• Types de mémoire (SRAM, DRAM, ROM, PROM) et leurs caractéristiques
• Parité mémoire et gestion des erreurs
• Accès, timing et synchronisation des mémoires
• Techniques d'augmentation capacité : extension par plusieurs boîtiers, augmentation longueur mots ou nombre de mots
• Définition et fonctionnement des signaux de contrôle (CS, R/W, OE, CAS, RAS)
• Organisation des cellules mémoire : organisation des lignes, colonnes, et organisation interne
• Câblage et architecture mémoire pour processeur (adresse, données, contrôle)
• Exemples d’application : calcul de capacité, câblage mémoire

Concepts et définitions

• Support physique : DIP, SIPP, SIMM, DIMM, RDRAM
• Structure physique : organisation des cellules, lignes d'adresse (k bits), mots (n bits)
• Types de mémoire : SRAM (sans rafraîchissement, rapide), DRAM (avec rafraîchissement, plus dense)
• Parité mémoire : bit supplémentaire pour détection d'erreurs
• Timing mémoire : cycles d'accès, délais tSS, tSH, tDOE, tHZOE
• Signaux de contrôle : CS* (sélection), R/W* (lecture/écriture), OE* (activation sortie), CAS*, RAS* (accès lignes/colonnes)
• Organisation des cellules : décodeur lignes / colonnes, organisation interne

Formules, lois, principes

• Capacité mémoire : $ C = 2^{k} \times n $ bits, où $k$ = nombre de lignes d'adresse, $n$ = longueur du mot
• Parité : somme de bits = paire ou impaire (bit de parité) pour détection d'erreurs
• Capacité d’un processeur : $ Cp = EA \times N $ où $ EA = 2^{\text{largeur bus d’adresse}} $
• Augmentation capacité : parallellisme (plusieurs boîtiers), extension longueur mots ou extension nombre mots

Méthodes et procédures

1. Déterminer la capacité mémoire à partir du nombre de lignes d'adresse et de la longueur d’un mot.
2. Identifier le nombre de boîtiers mémoire nécessaires : capacité totale / capacité d’un boîtier.
3. Choisir et câbler les signaux de contrôle (CS*, R/W*, OE*).
4. Organiser les cellules mémoire pour respecter la structure (lignes, colonnes) et leur décodeur.
5. Calculer la capacité en utilisant la formule $ C = 2^{k} \times n $.
6. Ajouter supports supplémentaires si la capacité dépasse celle d’un seul boîtier.

Exemples illustratifs

1. Capacité mémoire avec 16 bits de bus et 15 bits d'adresse : $ 2^{15} \times 16 = 524288$ bits = 64 Ko.
2. Organisation complète d’une mémoire DIMM 168 broches, 64-bit, avec organisation des cellules à 2^k lignes.
3. Calcul du câblage pour un processeur avec bus d’adresse 17 bits et bus de données 8 bits, en utilisant plusieurs boîtiers mémoire.

Pièges et points d'attention

• Confusion entre organisation interne et support physique : ne pas mélanger cellulaire et module.
• Mauvaise gestion des signaux de contrôle (CS*, R/W*, OE*) conduisant à des conflits.
• Ignorer la nécessité de rafraîchir en DRAM, entraînant des pertes de données.
• Confusion entre parité mémoire et détection d'erreurs.
• Mauvais calcul de capacité ou de nombre de boîtiers nécessaires.
• Tension et écartements des échancrures pour une insertion correcte des barrettes DIMM.

Glossaire

• DIP : Dual In-Line Package, support mémoire avec broches double rangée.
• SIPP : Single In-Line Pinned Package, support mémoire avec pattes fines.
• SIMM : Single In-line Memory Module, module mémoire à une rangée de broches.
• DIMM : Dual In-line Memory Module, module mémoire à double rangée de broches.
• RDRAM : Rambus DRAM, mémoire dynamique à haute vitesse.
• SRAM : Static RAM, mémoire statique, rapide sans besoin de rafraîchissement.
• DRAM : Dynamic RAM, mémoire dynamique nécessitant rafraîchissement périodique.
• Parité : bit supplémentaire pour vérifier l’intégrité des données mémoire.
• Timing : délais entre signaux pour l’accès mémoire.
• CAS / RAS : Signaux pour accéder aux lignes et colonnes de la mémoire.
• Câblage mémoire : organisation physique de l'adresse, données, contrôle selon la structure interne.