C = 2^{k} imes n
Explication
La capacité mémoire se calcule par la formule C = 2^{k} imes n, où k est le nombre de lignes d'adresse et n la longueur du mot en bits. Cela reflète l'organisation en ligne et colonne de la mémoire.
SRAM
Explication
La SRAM est une mémoire statique très rapide, qui ne nécessite pas de rafraîchissement, contrairement à la DRAM qui est plus dense mais requiert un rafraîchissement périodique.
Détecter les erreurs d'intégrité des données
Explication
Le bit de parité mémoire permet la détection d'erreurs en vérifiant si la somme des bits est paire ou impaire, garantissant ainsi l'intégrité des données durant le stockage ou la transmission.
1024 bits (erreur, faire le calcul)
Explication
La capacité se calcule par la formule $C=2^k imes n$, ici $2^{10} imes 8 = 1024 imes 8 = 8192$ bits. La bonne réponse est donc 8192 bits, mais il semble qu'une erreur de frappe ou de format ait été présente dans les options. La bonne réponse devrait refléter cela.
Parallélisme en connectant plusieurs boîtiers en parallèle
Explication
L'augmentation de capacité se fait souvent par le parallélisme, c'est-à-dire en connectant plusieurs boîtiers mémoire pour augmenter la capacité totale sans changer la vitesse ou l'organisation.
RAS*
Explication
Le signal RAS* (Row Address Strobe) est utilisé pour sélectionner la ligne courante en mémoire lors d'une opération, tandis que CAS* sélectionne la colonne.
PROM
Explication
La PROM (Programmable Read-Only Memory) peut être programmée une seule fois, ce qui la rend utile pour des modifications définitives après fabrication.
En ajoutant un bit supplémentaire pour détecter les erreurs simples
Explication
Le bit de parité permet de vérifier l’intégrité des données en détectant une erreur simple en vérifiant si la somme de tous les bits est paire ou impaire selon le mode.
La densité et le coût
Explication
Pour une haute capacité avec peu d’exigences de rapidité, il faut privilégier des modules à haute densité et à moindre coût, comme la DRAM, plutôt que la SRAM qui est plus rapide mais plus coûteuse.
Mémorisez les réponses avec 10 flashcards sur Architecture des systèmes et mémoire.
Quelle est la formule permettant de calculer la capacité mémoire d'une mémoire organisée par 2^k lignes et n bits par mot ?
La capacité mémoire est donnée par C = 2^k × n bits, où k est le nombre de bits d'adresse et n la longueur en bits d'un mot.
Support mémoire — exemples?
DIP, SIMM, DIMM, RDRAM.
Quels sont les principaux types de mémoire et leurs caractéristiques distinctes ?
Les principales mémoires sont SRAM, która est rapide et sans rafraîchissement, et DRAM, qui est plus dense mais nécessite un rafraîchissement périodique.
Consultez la fiche de révision complète sur Architecture des systèmes et mémoire.
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