QCM : Électricité : Drude et Kirchhoff — 64 questions

Questions et réponses du QCM

1. Quelles sont les trois branches principales de l’électronique ?

L’électronique de puissance, analogique et numérique
L’électronique thermique, mécanique et optique
L’électronique chimique, magnétique et acoustique
L’électronique statique, dynamique et quantique

L’électronique de puissance, analogique et numérique

Explication

L’électronique comprend les domaines de puissance, analogique et numérique. Les autres regroupements ne correspondent pas à la division fondamentale présentée.

2. Quelle distinction caractérise l’électronique analogique et l’électronique numérique ?

L’analogique utilise des signaux aléatoires, tandis que le numérique utilise des signaux périodiques
L’analogique traite des signaux discrets, tandis que le numérique traite des signaux continus
L’analogique traite des signaux continus, tandis que le numérique traite des signaux discrets
L’analogique transforme la puissance, tandis que le numérique transforme l’énergie

L’analogique traite des signaux continus, tandis que le numérique traite des signaux discrets

Explication

L’électronique analogique modélise des signaux continus à temps continu, alors que l’électronique numérique modélise des signaux discrets. La distinction ne repose pas principalement sur la périodicité ou la transformation d’énergie.

3. Quel objectif distingue principalement l’électronique de puissance de l’électronique analogique ?

Transformer principalement des signaux électriques en accordant de l’importance à leur représentation
Convertir des informations numériques en signaux continus en accordant de l’importance à leur fréquence
Stocker des charges électriques en accordant de l’importance à la capacité du dispositif
Transformer une forme de puissance électrique en une autre en accordant de l’importance au rendement

Transformer une forme de puissance électrique en une autre en accordant de l’importance au rendement

Explication

L’électronique de puissance transforme des formes de puissance électrique et doit donc considérer le rendement. L’électronique analogique concerne principalement la transformation de signaux, ce qui rend cette proposition plausible mais inadaptée ici.

4. Quelle invention Alessandro Volta réalise-t-il en 1800 ?

La loi de la force entre deux charges électriques
L’induction électromagnétique, utilisée ensuite dans les générateurs
La pile électrique, capable de produire un courant stable et continu
Le paratonnerre destiné à protéger les bâtiments contre la foudre

La pile électrique, capable de produire un courant stable et continu

Explication

En 1800, Alessandro Volta invente la pile électrique, première source permettant de produire un courant stable et continu. L’induction, la loi des charges et le paratonnerre sont associés à d’autres travaux historiques.

5. Quelle découverte Michael Faraday réalise-t-il en 1831 ?

La quantification de la force exercée entre deux charges
La pile électrique, fournissant un courant stable et continu
L’induction électromagnétique, à l’origine du fonctionnement des générateurs
La démonstration expérimentale de la nature électrique de la foudre

L’induction électromagnétique, à l’origine du fonctionnement des générateurs

Explication

Michael Faraday découvre l’induction électromagnétique en 1831, principe qui permettra la production industrielle d’électricité par des générateurs. Les autres découvertes sont attribuées à Volta, Coulomb ou Franklin.

6. Quelle charge électrique porte un électron ?

Une charge positive de valeur +e=1,602×10−19 C+e=1{,}602\times10^{-19}\ \mathrm{C}
Une charge nulle, car il ne participe pas aux phénomènes électriques
Une charge variable qui dépend de sa position dans l’atome
Une charge négative de valeur −e=−1,602×10−19 C-e=-1{,}602\times10^{-19}\ \mathrm{C}

Une charge négative de valeur $$-e=-1{,}602\times10^{-19}\ \mathrm{C}$$

Explication

L’électron porte la charge négative −e=−1,602×10−19 C-e=-1{,}602\times10^{-19}\ \mathrm{C}, tandis que le proton porte la charge positive +e+e. La confusion la plus courante consiste à attribuer à l’électron le signe positif du proton.

7. Comment se distinguent les bandes de valence, de conduction et la bande interdite ?

La valence contient des électrons fortement liés, la conduction des électrons faiblement liés, et la bande interdite ne peut pas être occupée
La valence contient des électrons mobiles, la conduction des électrons fortement liés, et la bande interdite est facilement occupée
La valence et la conduction contiennent des électrons également liés, tandis que la bande interdite favorise leur déplacement
La valence est une zone sans électrons, la conduction contient des noyaux mobiles, et la bande interdite contient les charges libres

La valence contient des électrons fortement liés, la conduction des électrons faiblement liés, et la bande interdite ne peut pas être occupée

Explication

Les électrons de valence sont fortement liés, ceux de conduction sont plus faiblement liés, et la bande interdite correspond à une zone énergétique inaccessible aux électrons. La bande de valence ne désigne donc pas la région où les électrons sont les plus mobiles.

8. Quelle classification des matériaux correspond à la valeur de leur gap énergétique ?

Les isolants ont généralement un gap supérieur à 3 eV, les semi-conducteurs entre 0,1 eV et 3 eV, et les conducteurs un gap nul ou négatif
Les isolants ont généralement un gap nul, les semi-conducteurs supérieur à 3 eV, et les conducteurs entre 0,1 eV et 3 eV
Les isolants ont généralement un gap entre 0,1 eV et 3 eV, les semi-conducteurs nul, et les conducteurs supérieur à 3 eV
Les isolants et les conducteurs ont généralement un gap supérieur à 3 eV, tandis que les semi-conducteurs ont un gap négatif

Les isolants ont généralement un gap supérieur à 3 eV, les semi-conducteurs entre 0,1 eV et 3 eV, et les conducteurs un gap nul ou négatif

Explication

Un gap élevé caractérise généralement un isolant, un gap intermédiaire un semi-conducteur, et un gap nul ou négatif un conducteur. Inverser les valeurs des isolants et des conducteurs conduit à une classification erronée.

9. Quelle relation exprime la loi d’Ohm locale entre la densité de courant et le champ électrique ?

j⃗=σE⃗\vec j=\sigma\vec E
U=RIU=RI
E⃗=ρj⃗\vec E=\rho\vec j
R=ρLSR=\rho\frac{L}{S}

$$\vec j=\sigma\vec E$$

Explication

La loi d’Ohm locale relie la densité de courant au champ électrique par j⃗=σE⃗\vec j=\sigma\vec E, avec la conductivité σ\sigma. La relation U=RIU=RI est la forme macroscopique, tandis que les autres expressions concernent la résistance ou une relation inversée.

10. Un dipôle possède une résistance de 20 Ω20\ \Omega et est traversé par un courant de 0,5 A0{,}5\ \mathrm{A}. Quelle tension mesure-t-on à ses bornes ?

40 V40\ \mathrm{V}
0,025 V0{,}025\ \mathrm{V}
20,5 V20{,}5\ \mathrm{V}
10 V10\ \mathrm{V}

$$10\ \mathrm{V}$$

Explication

La loi d’Ohm macroscopique donne U=RIU=RI, donc U=20×0,5=10 VU=20\times0{,}5=10\ \mathrm{V}. La valeur 40 V40\ \mathrm{V} provientrait d’une division incorrecte de la résistance par le courant.

11. Comment varie la résistance d’un conducteur cylindrique homogène lorsque sa longueur double, sans changer sa section ni sa résistivité ?

Elle est divisée par deux, car la longueur augmente le trajet des charges
Elle devient quatre fois plus grande, car la longueur intervient au carré
Elle reste constante, car elle dépend principalement de la section du conducteur
Elle double, car R=ρLSR=\rho\frac{L}{S} est proportionnelle à la longueur

Elle double, car $$R=\rho\frac{L}{S}$$ est proportionnelle à la longueur

Explication

La relation R=ρLSR=\rho\frac{L}{S} montre que la résistance est proportionnelle à la longueur lorsque ρ\rho et SS restent constantes. La section intervient au dénominateur, mais la longueur n’apparaît pas au carré.

12. Dans le modèle de Drude, quelle expression décrit la probabilité qu’un électron n’ait subi aucune collision jusqu’au temps tt ?

P(t)=λe−λtP(t)=\lambda e^{-\lambda t}
P(t)=λte−λtP(t)=\lambda t e^{-\lambda t}
P(t)=1−e−λtP(t)=1-e^{-\lambda t}
P(t)=e−t/λP(t)=e^{-t/\lambda}

$$P(t)=\lambda e^{-\lambda t}$$

Explication

La probabilité d’absence de collision jusqu’au temps tt suit une décroissance exponentielle donnée par P(t)=λe−λtP(t)=\lambda e^{-\lambda t}. L’expression 1−e−λt1-e^{-\lambda t} correspond plutôt à une probabilité cumulée de collision, et non à l’absence de collision.

13. Si le taux de collision des électrons vaut λ=5,0×1013 s−1\lambda=5{,}0\times10^{13}\ \mathrm{s^{-1}}, quelle est la valeur du temps de relaxation τ\tau ?

2,0×1013 s2{,}0\times10^{13}\ \mathrm{s}
5,0×10−14 s5{,}0\times10^{-14}\ \mathrm{s}
1,0×10−13 s1{,}0\times10^{-13}\ \mathrm{s}
2,0×10−14 s2{,}0\times10^{-14}\ \mathrm{s}

$$2{,}0\times10^{-14}\ \mathrm{s}$$

Explication

Le temps moyen entre deux collisions est l’inverse du taux de collision, soit τ=1/λ=2,0×10−14 s\tau=1/\lambda=2{,}0\times10^{-14}\ \mathrm{s}. Multiplier par λ\lambda donnerait une grandeur incompatible avec un temps de relaxation.

14. À densité électronique et masse électronique constantes, comment évolue la conductivité d’un métal lorsque le temps de relaxation augmente ?

Elle varie comme l’inverse du carré du temps de relaxation.
Elle augmente proportionnellement au temps de relaxation.
Elle diminue proportionnellement au temps de relaxation.
Elle reste constante quelle que soit sa valeur.

Elle augmente proportionnellement au temps de relaxation.

Explication

La relation de Drude σ=ne2τ/me\sigma=ne^2\tau/m_e montre que la conductivité est proportionnelle à τ\tau lorsque les autres paramètres restent constants. La résistivité évolue en sens inverse, ce qui ne signifie pas que la conductivité diminue.

15. Quelle relation exprime la puissance volumique dissipée localement par effet Joule dans un conducteur ?

pe=UIp_e=UI
pe=j⃗×E⃗p_e=\vec j\times\vec E
pe=UIp_e=\frac{U}{I}
pe=j⃗⋅E⃗p_e=\vec j\cdot\vec E

$$p_e=\vec j\cdot\vec E$$

Explication

La puissance volumique dissipée localement est le produit scalaire de la densité de courant et du champ électrique, pe=j⃗⋅E⃗p_e=\vec j\cdot\vec E. La relation P=UIP=UI concerne la puissance totale dans la description macroscopique d’un dipôle.

16. Un dipôle est soumis à une tension de 12 V12\ \mathrm{V} et parcouru par un courant de 2 A2\ \mathrm{A}. Quelle puissance dissipée lui associe la loi de Joule macroscopique ?

10 W10\ \mathrm{W}
24 W24\ \mathrm{W}
14 W14\ \mathrm{W}
6 W6\ \mathrm{W}

$$24\ \mathrm{W}$$

Explication

La loi de Joule macroscopique donne P=UIP=UI, donc P=12×2=24 WP=12\times2=24\ \mathrm{W}. Le quotient U/IU/I correspondrait à une résistance, pas à la puissance dissipée.

17. Quelle situation caractérise un effet capacitif ?

La dissipation d’énergie sous forme de chaleur dans un conducteur.
Le stockage d’énergie électrostatique par séparation de charges.
La conversion d’énergie mécanique en champ magnétique variable.
La production d’un courant par collision entre électrons.

Le stockage d’énergie électrostatique par séparation de charges.

Explication

L’effet capacitif correspond au stockage d’énergie électrostatique grâce à des charges séparées, avec une différence de potentiel liée à la charge stockée. Le stockage d’énergie dans un champ magnétique relève plutôt de l’inductance.

18. Pour un condensateur plan dans le vide, comment varie la capacité si la surface des armatures double tandis que leur séparation reste inchangée ?

Elle est divisée par deux.
Elle devient quatre fois plus grande.
Elle reste inchangée.
Elle double.

Elle double.

Explication

La capacité d’un condensateur plan vaut C=ϵ0S/dC=\epsilon_0S/d, donc elle est proportionnelle à la surface SS. Doubler SS double ainsi la capacité, tandis que modifier dd agirait en sens inverse.

19. Quelle distinction décrit correctement le potentiel d’une borne et la tension entre deux points ?

Le potentiel caractérise une borne, tandis que la tension est une différence de potentiel.
Le potentiel représente un courant entrant, tandis que la tension représente un courant sortant.
Le potentiel est une différence entre deux bornes, tandis que la tension caractérise une seule borne.
Le potentiel concerne une maille, tandis que la tension concerne uniquement un nœud.

Le potentiel caractérise une borne, tandis que la tension est une différence de potentiel.

Explication

Dans un multipôle, chaque borne est caractérisée par un potentiel, alors qu’une tension compare les potentiels de deux points. Confondre ces notions conduit à attribuer à une borne une grandeur qui nécessite deux points de référence.

20. Dans un nœud relié à trois branches, deux courants entrants valent 2 A2\ \mathrm{A} et 3 A3\ \mathrm{A}. Quelle doit être la valeur algébrique du troisième courant pour respecter la première loi de Kirchhoff ?

6 A6\ \mathrm{A}
5 A5\ \mathrm{A}
−5 A-5\ \mathrm{A}
−1 A-1\ \mathrm{A}

$$-5\ \mathrm{A}$$

Explication

La première loi de Kirchhoff impose ∑k=1nik=0\sum_{k=1}^{n}i_k=0, donc le troisième courant doit satisfaire 2+3+i3=02+3+i_3=0 et vaut −5 A-5\ \mathrm{A}. Une valeur positive de 5 A5\ \mathrm{A} correspondrait à un courant entrant supplémentaire et ne compenserait pas les deux autres.

21. Quelle association entre loi de Kirchhoff et grandeur concernée est correcte ?

La loi des mailles concerne les courants, et la loi des nœuds concerne les tensions.
La loi des mailles concerne les tensions, et la loi des nœuds concerne les courants.
Les deux lois concernent les courants circulant dans chaque maille.
Les deux lois concernent les tensions mesurées aux bornes des résistances.

La loi des mailles concerne les tensions, et la loi des nœuds concerne les courants.

Explication

La loi des mailles impose une somme algébrique nulle des tensions le long d’une maille, tandis que la loi des nœuds impose une somme algébrique nulle des courants en un nœud. Les inverser revient à confondre les deux contraintes fondamentales des circuits.

22. Dans un montage comportant un générateur de tension idéal, quelle grandeur est imposée par le générateur ?

Le courant traversant ses bornes, fixé par sa loi interne
La puissance fournie au circuit extérieur, indépendante de la charge
La résistance équivalente du dispositif connecté à ses bornes
La tension entre ses bornes, égale à la force électromotrice imposée

La tension entre ses bornes, égale à la force électromotrice imposée

Explication

Un générateur de tension idéal impose une tension égale à sa force électromotrice, tandis que le courant dépend du dispositif extérieur. L’idée selon laquelle le courant serait fixé par le générateur correspond plutôt au comportement d’un générateur de courant idéal.

23. Quelle caractéristique distingue un générateur de tension indépendant d’un générateur de tension commandé ?

Sa tension est toujours nulle lorsque le circuit est ouvert
Sa tension est proportionnelle à une autre grandeur électrique
Sa tension est déterminée par une loi connue a priori
Sa tension dépend de la résistance branchée à ses bornes

Sa tension est déterminée par une loi connue a priori

Explication

Un générateur indépendant est défini par une loi de tension connue à l’avance, sans dépendre d’une grandeur électrique externe. Une tension proportionnelle à une autre grandeur caractérise un générateur commandé.

24. Quelle propriété caractérise correctement un court-circuit et un circuit ouvert idéaux ?

Le court-circuit impose une tension constante, tandis que le circuit ouvert impose un courant constant
Le court-circuit impose une puissance nulle, tandis que le circuit ouvert impose une énergie nulle
Le court-circuit impose un courant nul, tandis que le circuit ouvert impose une tension nulle
Le court-circuit impose une tension nulle, tandis que le circuit ouvert impose un courant nul

Le court-circuit impose une tension nulle, tandis que le circuit ouvert impose un courant nul

Explication

Un court-circuit possède une tension nulle quelle que soit l’intensité, alors qu’un circuit ouvert possède une intensité nulle quelle que soit la tension. Inverser ces deux propriétés conduit à confondre les conditions idéales des deux dispositifs.

25. Un transformateur idéal possède un rapport n=3n=3 et reçoit une tension u1=4 Vu_1=4\,\mathrm{V}. Quelle est la tension secondaire u2u_2 ?

12 V12\,\mathrm{V}
43 V\frac{4}{3}\,\mathrm{V}
−43 V-\frac{4}{3}\,\mathrm{V}
−12 V-12\,\mathrm{V}

$$12\,\mathrm{V}$$

Explication

La relation du transformateur idéal est u2=nu1u_2=n u_1, donc u2=3×4=12 Vu_2=3\times4=12\,\mathrm{V}. La relation concernant les courants contient le facteur inverse et un signe négatif, mais elle ne s’applique pas directement aux tensions.

26. En convention récepteur, comment s’exprime la puissance instantanée absorbée par un dipôle soumis à une tension u(t)u(t) et parcouru par un courant i(t)i(t) ?

p(t)=u(t)i(t)p(t)=u(t)i(t)
p(t)=u(t)−i(t)p(t)=u(t)-i(t)
p(t)=u(t)i(t)p(t)=\frac{u(t)}{i(t)}
p(t)=u(t)+i(t)p(t)=u(t)+i(t)

$$p(t)=u(t)i(t)$$

Explication

En convention récepteur, la puissance instantanée absorbée est le produit de la tension par le courant, soit p(t)=u(t)i(t)p(t)=u(t)i(t). Les opérations d’addition, de division ou de soustraction ne correspondent pas à la définition de cette puissance.

27. Comment distingue-t-on un dipôle passif d’un dipôle actif à partir de son énergie absorbée ?

Un dipôle actif conserve une énergie absorbée positive ou nulle à tout instant
Un dipôle passif conserve une énergie absorbée positive ou nulle à tout instant
Un dipôle passif restitue une énergie négative lors de chaque régime transitoire
Un dipôle actif dissipe une énergie strictement croissante entre deux états quiescents

Un dipôle passif conserve une énergie absorbée positive ou nulle à tout instant

Explication

Un dipôle est passif lorsque son énergie absorbée reste positive ou nulle à tout instant. Un dipôle actif peut au contraire présenter une énergie absorbée négative, ce qui traduit une restitution d’énergie au circuit.

28. Entre deux états quiescents, quelle évolution de l’énergie caractérise un dipôle passif réactif ?

Une énergie absorbée négative pendant toute la transition
Une augmentation strictement positive de l’énergie stockée
Une diminution strictement négative de l’énergie dissipée
Une variation d’énergie nulle entre les deux états

Une variation d’énergie nulle entre les deux états

Explication

Un dipôle passif est réactif lorsque son énergie ne varie pas entre deux états quiescents. Une augmentation strictement positive de l’énergie correspond au caractère dissipatif selon la distinction donnée.

29. Une inductance idéale de valeur LL est parcourue par un courant ii. Quelle énergie y est stockée ?

EL=12Lu2E_L=\frac{1}{2}Lu^2
EL=12Ci2E_L=\frac{1}{2}Ci^2
EL=12Li2E_L=\frac{1}{2L}i^2
EL=12Li2E_L=\frac{1}{2}Li^2

$$E_L=\frac{1}{2}Li^2$$

Explication

L’énergie absorbée par une inductance vaut EL=12Li2E_L=\frac{1}{2}Li^2 et dépend donc du courant qui la traverse. L’énergie d’une capacité dépend de sa tension, ce qui explique la confusion avec la formule capacitive.

30. Pour appliquer le théorème de superposition à un réseau linéaire contenant plusieurs générateurs indépendants, quelle procédure faut-il suivre ?

Calculer la réponse avec une seule impédance équivalente sans distinguer les générateurs
Remplacer chaque générateur indépendant par un court-circuit puis additionner les tensions obtenues
Calculer chaque contribution en conservant un seul générateur indépendant actif à la fois
Conserver tous les générateurs actifs et additionner directement leurs courants internes

Calculer chaque contribution en conservant un seul générateur indépendant actif à la fois

Explication

Le théorème de superposition consiste à déterminer la contribution de chaque générateur indépendant séparément, puis à additionner ces contributions. Mettre tous les générateurs hors circuit ne permet pas d’obtenir les réponses individuelles nécessaires.

31. Dans une représentation de Thévenin, comment détermine-t-on la tension eABe_{AB} et l’impédance ZABZ_{AB} ?

On mesure eABe_{AB} à vide et on obtient ZABZ_{AB} après extinction des générateurs indépendants
On mesure eABe_{AB} après extinction des générateurs et on obtient ZABZ_{AB} à vide
On mesure eABe_{AB} en court-circuit et on obtient ZABZ_{AB} avec tous les générateurs actifs
On mesure eABe_{AB} sous charge nominale et on obtient ZABZ_{AB} par addition des résistances externes

On mesure $$e_{AB}$$ à vide et on obtient $$Z_{AB}$$ après extinction des générateurs indépendants

Explication

Le générateur de Thévenin possède une tension à vide eABe_{AB}, tandis que son impédance ZABZ_{AB} se calcule après extinction des générateurs indépendants. La mesure en court-circuit concerne plutôt le courant de court-circuit, pas la tension de Thévenin.

32. Dans la formule de Millman, quel rôle jouent les termes du numérateur et du dénominateur ?

Le numérateur pondère les tensions par les impédances et le dénominateur additionne les résistances
Le numérateur pondère les tensions par les admittances et le dénominateur additionne les admittances
Le numérateur additionne les courants indépendants et le dénominateur additionne les tensions de branche
Le numérateur additionne les impédances et le dénominateur pondère les tensions par les résistances

Le numérateur pondère les tensions par les admittances et le dénominateur additionne les admittances

Explication

Dans le théorème de Millman, chaque tension est pondérée par l’admittance correspondante dans le numérateur, tandis que le dénominateur est la somme des admittances. Remplacer les admittances par des impédances inverse la structure de la formule.

33. Deux biportes sont montés en cascade avec des matrices chaîne C1C_1 puis C2C_2. Quelle est la matrice chaîne globale ?

C=C1C2C=C_1C_2
C=C1+C2C=C_1+C_2
C=C1−C2C=C_1-C_2
C=C2C1C=C_2C_1

$$C=C_1C_2$$

Explication

Pour deux biportes en cascade, la matrice chaîne globale s’obtient par le produit dans l’ordre des biportes traversés, soit C=C1C2C=C_1C_2. La matrice inverse suit l’ordre opposé, ce qui ne doit pas être confondu avec la matrice chaîne directe.

34. Quelle relation matricielle décrit une association série-parallèle de deux biportes ?

F=F1−F2F=F_1-F_2
F=F1+F2F=F_1+F_2
H=H1H2H=H_1H_2
H=H1+H2H=H_1+H_2

$$H=H_1+H_2$$

Explication

Dans une association série-parallèle, les matrices hybrides des deux biportes s’additionnent, d’où H=H1+H2H=H_1+H_2. L’addition des matrices hybrides inverses FF correspond à l’association parallèle-série.

35. Quelles égalités de grandeurs sont imposées par une association série-parallèle de deux biportes ?

i1=i11=i21i_1=i_{11}=i_{21} et u2=u12=u22u_2=u_{12}=u_{22}
i1=i12=i22i_1=i_{12}=i_{22} et u2=u11=u21u_2=u_{11}=u_{21}
u1=u11=u21u_1=u_{11}=u_{21} et i2=i12=i22i_2=i_{12}=i_{22}
u1=u12=u22u_1=u_{12}=u_{22} et i2=i11=i21i_2=i_{11}=i_{21}

$$i_1=i_{11}=i_{21}$$ et $$u_2=u_{12}=u_{22}$$

Explication

Les connexions série-parallèle imposent l’égalité des courants d’entrée et des tensions de sortie, soit i1=i11=i21i_1=i_{11}=i_{21} et u2=u12=u22u_2=u_{12}=u_{22}. Les autres combinaisons échangent les rôles des grandeurs d’entrée et de sortie.

36. Quelles propriétés caractérisent un amplificateur opérationnel idéal ?

i+=i−=Ai_+=i_-=A et v+−v−=0v_+-v_-=0
i+=i−=0i_+=i_-=0 et v+−v−=0v_+-v_-=0
i+=i−=0i_+=i_-=0 et v+−v−=1v_+-v_-=1
i+=i−i_+=i_- et v+−v−=Av_+-v_-=A

$$i_+=i_-=0$$ et $$v_+-v_-=0$$

Explication

Le modèle idéal impose des courants d’entrée nuls et une différence de potentiel d’entrée nulle. Il ne fixe pas nécessairement la tension ni le courant de sortie, qui peuvent prendre des valeurs quelconques.

37. Dans le modèle différentiel idéal d’un AOp réel, quelle caractéristique décrit correctement le gain en tension ?

Il est nul et indépendant de la fréquence.
Il est considéré comme infini dans le modèle réel.
Il est fini et de l’ordre de 10510^5 à 10610^6.
Il vaut exactement un dans toute configuration.

Il est fini et de l’ordre de $$10^5$$ à $$10^6$$.

Explication

Un AOp réel possède un gain différentiel très grand mais fini, typiquement de l’ordre de 10510^5 à 10610^6, avec des courants d’entrée nuls dans ce modèle. Le gain infini appartient à l’approximation idéale, pas au comportement réel.

38. Selon le modèle idéal sans seuil d’une diode de signal, que se passe-t-il lorsqu’elle conduit ?

Si iD>0i_D>0, alors vD=0v_D=0.
Si vD<0v_D<0, alors iD>0i_D>0.
Si vD=0v_D=0, alors iD<0i_D<0.
Si iD>0i_D>0, alors vD=VTv_D=V_T.

Si $$i_D>0$$, alors $$v_D=0$$.

Explication

Le modèle idéal sans seuil assimile la diode conductrice à une chute de tension nulle, donc iD>0⇒vD=0i_D>0\Rightarrow v_D=0. En blocage, la condition correspondante est vD<0⇒iD=0v_D<0\Rightarrow i_D=0.

39. Quelle équation décrit le modèle physique d’une diode de signal ?

iD=IS(1−eηVT/vD)i_D=I_S\left(1-e^{\eta V_T/v_D}\right)
iD=IS(eηVTvD−1)i_D=I_S\left(e^{\eta V_Tv_D}-1\right)
iD=ηVT(evD/IS−1)i_D=\eta V_T\left(e^{v_D/I_S}-1\right)
iD=IS(evD/(ηVT)−1)i_D=I_S\left(e^{v_D/(\eta V_T)}-1\right)

$$i_D=I_S\left(e^{v_D/(\eta V_T)}-1\right)$$

Explication

La loi physique de la diode est une relation exponentielle entre le courant et la tension, avec VT=kT/qV_T=kT/q. Les autres expressions placent incorrectement les paramètres dans l’exponentielle.

40. Quel est le gain en tension d’un amplificateur inverseur idéal comportant les résistances R1R_1 et R2R_2 ?

Av=1+R2R1A_v=1+\frac{R_2}{R_1}
Av=−R1R2A_v=-\frac{R_1}{R_2}
Av=−R2R1A_v=-\frac{R_2}{R_1}
Av=R1R2A_v=\frac{R_1}{R_2}

$$A_v=-\frac{R_2}{R_1}$$

Explication

Le montage inverseur fournit un gain Av=vs/ve=−R2/R1A_v=v_s/v_e=-R_2/R_1, ce qui traduit une inversion de phase. La forme 1+R2/R11+R_2/R_1 caractérise le montage non-inverseur.

41. Quelle fonction de transfert correspond à un intégrateur inverseur idéal ?

H(p)=11+RCpH(p)=\frac{1}{1+RCp}
H(p)=−RCpH(p)=-RCp
H(p)=−1RCpH(p)=-\frac{1}{RCp}
H(p)=1+RCpH(p)=1+RCp

$$H(p)=-\frac{1}{RCp}$$

Explication

L’intégrateur inverseur possède une fonction de transfert inversement proportionnelle à pp, soit H(p)=−1/(RCp)H(p)=-1/(RCp). La forme proportionnelle à pp correspond au dérivateur inverseur.

42. Sous quelle condition un soustracteur réalise-t-il la relation vs=R4R3(v1−v2)v_s=\frac{R_4}{R_3}(v_1-v_2) ?

Lorsque R1/R4=R2/R3R_1/R_4=R_2/R_3.
Lorsque R1R2=R3R4R_1R_2=R_3R_4.
Lorsque R1+R4=R2+R3R_1+R_4=R_2+R_3.
Lorsque R1R4=R2R3R_1R_4=R_2R_3.

Lorsque $$R_1R_4=R_2R_3$$.

Explication

La relation différentielle du soustracteur est obtenue lorsque les produits de résistances vérifient R1R4=R2R3R_1R_4=R_2R_3. Une égalité entre sommes ne garantit pas l’équilibrage requis par ce montage.

43. Pour que l’oscillateur à trigger de Schmitt devienne instable, quelle condition doit vérifier la constante de temps τ\tau ?

Elle doit être égale au gain statique A0A_0 du comparateur.
Elle doit être supérieure au seuil d’instabilité τ0αA0−1\frac{\tau_0}{\alpha A_0-1}.
Elle doit être inférieure au seuil d’instabilité τ0αA0−1\frac{\tau_0}{\alpha A_0-1}.
Elle doit être indépendante des paramètres α\alpha et A0A_0.

Elle doit être supérieure au seuil d’instabilité $$\frac{\tau_0}{\alpha A_0-1}$$.

Explication

L’instabilité apparaît lorsque τ\tau dépasse le seuil τ0αA0−1\frac{\tau_0}{\alpha A_0-1}. Une valeur inférieure à ce seuil ne permet pas d’utiliser le modèle du comparateur idéal pour décrire l’oscillation.

44. Après que la sortie de l’oscillateur a basculé à +VCC+V_{CC}, quelle évolution conduit au basculement suivant ?

Le condensateur se charge vers −VCC-V_{CC} jusqu’à franchir −αVCC-\alpha V_{CC}.
Le condensateur reste constant jusqu’à ce que la sortie atteigne 00.
Le condensateur se charge vers +VCC+V_{CC} jusqu’à dépasser +αVCC+\alpha V_{CC}.
Le condensateur se décharge vers −VCC-V_{CC} jusqu’à dépasser −αVCC-\alpha V_{CC}.

Le condensateur se charge vers $$+V_{CC}$$ jusqu’à dépasser $$+\alpha V_{CC}$$.

Explication

Avec une sortie égale à +VCC+V_{CC}, le condensateur se charge vers cette valeur et le basculement se produit au franchissement de +αVCC+\alpha V_{CC}. La décharge vers −VCC-V_{CC} intervient après le basculement à la sortie négative.

45. Comment exprimer la fréquence du signal carré produit par l’oscillateur à trigger de Schmitt ?

f=1τln⁡(1−α1+α)f=\frac{1}{\tau\ln\left(\frac{1-\alpha}{1+\alpha}\right)}
f=ln⁡(1+α1−α)2τf=\frac{\ln\left(\frac{1+\alpha}{1-\alpha}\right)}{2\tau}
f=2τln⁡(1+α1−α)f=2\tau\ln\left(\frac{1+\alpha}{1-\alpha}\right)
f=12τln⁡(1+α1−α)f=\frac{1}{2\tau\ln\left(\frac{1+\alpha}{1-\alpha}\right)}

$$f=\frac{1}{2\tau\ln\left(\frac{1+\alpha}{1-\alpha}\right)}$$

Explication

La fréquence est l’inverse de la période, avec T=2τln⁡(1+α1−α)T=2\tau\ln\left(\frac{1+\alpha}{1-\alpha}\right). On obtient donc l’expression comportant le facteur inverse 2τ2\tau et le logarithme indiqué.

46. Pour un oscillateur utilisant un 741 avec α=12\alpha=\frac{1}{2}, quelle comparaison décrit correctement les limites de fréquence ?

La condition impose τ>2,1 kHz\tau>2{,}1\,\mathrm{kHz}, tandis que le slew-rate limite la fréquence théorique à 333 ns333\,\mathrm{ns}.
La condition impose τ>333 ns\tau>333\,\mathrm{ns}, tandis que le slew-rate limite la fréquence pratique à environ 2,1 kHz2{,}1\,\mathrm{kHz}.
La condition impose τ<333 ns\tau<333\,\mathrm{ns}, tandis que le slew-rate autorise environ 1,37 MHz1{,}37\,\mathrm{MHz} en pratique.
La condition impose τ=1,37 MHz\tau=1{,}37\,\mathrm{MHz}, tandis que le slew-rate fixe la constante de temps à 2,1 kHz2{,}1\,\mathrm{kHz}.

La condition impose $$\tau>333\,\mathrm{ns}$$, tandis que le slew-rate limite la fréquence pratique à environ $$2{,}1\,\mathrm{kHz}$$.

Explication

Pour le 741, l’instabilité exige τ>333 ns\tau>333\,\mathrm{ns} et la fréquence limite théorique vaut 1,37 MHz1{,}37\,\mathrm{MHz}. En pratique, le slew-rate réduit fortement cette fréquence, jusqu’à environ 2,1 kHz2{,}1\,\mathrm{kHz}.

47. Que réalise un redresseur mono-alternance appliqué à un signal sinusoïdal ?

Il conserve les deux alternances en inversant la polarité de l’alternance négative.
Il supprime les deux alternances et délivre une tension moyenne constante.
Il conserve une alternance et produit une sortie nulle pendant l’autre alternance.
Il transforme chaque alternance en une tension alternative de même amplitude.

Il conserve une alternance et produit une sortie nulle pendant l’autre alternance.

Explication

Le redressement mono-alternance ne laisse passer qu’une alternance du signal sinusoïdal, tandis que l’autre donne une sortie nulle. Le redressement des deux alternances correspond au montage double alternance.

48. Dans un redresseur mono-alternance modélisé par une diode à seuil V0V_0, quelle relation décrit la sortie lorsque la diode conduit ?

La diode conduit si ve<V0v_e<V_0 et la sortie vaut vs=ve+V0v_s=v_e+V_0.
La diode conduit si ve>0v_e>0 et la sortie vaut vs=ve+V0v_s=v_e+V_0.
La diode conduit si ve<−V0v_e<-V_0 et la sortie vaut vs=−ve−V0v_s=-v_e-V_0.
La diode conduit si ve>V0v_e>V_0 et la sortie vaut vs=ve−V0v_s=v_e-V_0.

La diode conduit si $$v_e>V_0$$ et la sortie vaut $$v_s=v_e-V_0$$.

Explication

La conduction commence lorsque la tension d’entrée dépasse le seuil V0V_0, puis la chute de la diode donne vs=ve−V0v_s=v_e-V_0. En dessous de ce seuil, la sortie est nulle dans ce modèle.

49. Dans un redresseur double alternance à deux sources, comment les deux diodes conduisent-elles ?

Les deux diodes conduisent lorsque ∣ve∣>V0|v_e|>V_0 et aucune ne conduit près de zéro.
D1 conduit lorsque ve<−V0v_e<-V_0 et D2 lorsque ve>V0v_e>V_0, avec conduction simultanée.
D1 conduit pendant les deux alternances et D2 intervient lorsque ve=0v_e=0.
D1 conduit lorsque ve>V0v_e>V_0 et D2 lorsque ve<−V0v_e<-V_0, sans conduction simultanée.

D1 conduit lorsque $$v_e>V_0$$ et D2 lorsque $$v_e<-V_0$$, sans conduction simultanée.

Explication

Les diodes conduisent alternativement selon le signe de la tension d’entrée : D1 pour l’alternance positive et D2 pour l’alternance négative. Elles ne conduisent donc pas simultanément dans ce montage.

50. Dans un pont de Graëtz modélisé par des diodes à seuil V0V_0, quelle paire conduit lorsque ve>2V0v_e>2V_0 ?

Aucune diode ne conduit, car la tension d’entrée dépasse la zone de fonctionnement.
Les quatre diodes conduisent simultanément afin de réduire la chute de tension.
La paire D1-D4 conduit et les autres diodes restent bloquées.
La paire D2-D3 conduit et les autres diodes restent bloquées.

La paire D1-D4 conduit et les autres diodes restent bloquées.

Explication

Pour une tension d’entrée positive supérieure à 2V02V_0, le courant passe par la paire D1-D4. La paire D2-D3 est associée à l’alternance négative, tandis qu’aucune diode ne conduit lorsque ∣ve∣≤2V0|v_e|\leq2V_0.

51. Pourquoi un redresseur sans seuil convient-il aux signaux de faible amplitude ?

L’amplificateur opérationnel compense la chute de tension V0V_0 des diodes.
Les diodes sont remplacées par des résistances qui amplifient directement le signal.
Le montage augmente la puissance disponible en sortie grâce aux diodes.
L’amplificateur opérationnel supprime la nécessité d’une tension d’entrée alternative.

L’amplificateur opérationnel compense la chute de tension $$V_0$$ des diodes.

Explication

L’association des diodes avec un amplificateur opérationnel compense pratiquement leur chute de tension V0V_0. Le redressement peut ainsi s’appliquer à des signaux dont l’amplitude est trop faible pour un montage à diodes seules.

52. Dans un redresseur sans seuil suiveur, quelle sortie obtient-on pour une tension d’entrée négative puis positive ?

On obtient approximativement vs=0v_s=0 pour ve<0v_e<0 et vs=vev_s=v_e pour ve≥0v_e\geq0.
On obtient approximativement vs=−vev_s=-v_e pour ve<0v_e<0 et vs=vev_s=v_e pour ve≥0v_e\geq0.
On obtient approximativement vs=0v_s=0 pour les deux signes de vev_e jusqu’à dépasser V0V_0.
On obtient approximativement vs=vev_s=v_e pour ve<0v_e<0 et vs=0v_s=0 pour ve≥0v_e\geq0.

On obtient approximativement $$v_s=0$$ pour $$v_e<0$$ et $$v_s=v_e$$ pour $$v_e\geq0$$.

Explication

Le montage suiveur conserve l’alternance positive et bloque l’alternance négative, d’où vs≈vev_s\approx v_e lorsque ve≥0v_e\geq0 et vs≈0v_s\approx0 lorsque ve<0v_e<0. La conduction réelle commence dès que ve≥V0/A0v_e\geq V_0/A_0, ce qui rend le seuil très faible.

53. Dans un redresseur sans seuil inverseur, quel fonctionnement correspond à une tension d’entrée positive ?

D2 conduit et la sortie vaut vs=−R2R1ve<0v_s=-\frac{R_2}{R_1}v_e<0.
D1 conduit et la sortie vaut vs=R2R1ve>0v_s=\frac{R_2}{R_1}v_e>0.
D1 conduit et la sortie vaut vs=−R2R1ve<0v_s=-\frac{R_2}{R_1}v_e<0.
D2 conduit et la sortie est nulle, car l’alternance positive est bloquée.

D1 conduit et la sortie vaut $$v_s=-\frac{R_2}{R_1}v_e<0$$.

Explication

Pour ve>0v_e>0, c’est D1 qui conduit et le montage inverseur fournit vs=−R2R1vev_s=-\frac{R_2}{R_1}v_e. La conduction de D2 correspond à ve<0v_e<0 et conduit alors à une sortie nulle.

54. Quelle expression décrit le courant de drain d’un TECJ canal P en régime de pincement ?

ID=−IDSS(1+VGSVP)2I_D=-I_{DSS}\left(1+\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2
ID=IDSS(1−VGSVP)2I_D=I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2
ID=−IDSS(1−VGSVP)2I_D=-I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2
ID=IDSS(1+VGSVP)2I_D=I_{DSS}\left(1+\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2

$$I_D=-I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2$$

Explication

Pour un TECJ canal P, le courant de drain suit la loi quadratique avec un signe négatif devant IDSSI_{DSS}. L’expression positive correspondrait à la convention présentée pour un canal N, et non à celle du canal P.

55. Quelle distinction caractérise les MOS à appauvrissement et les MOS à enrichissement ?

Le MOS à appauvrissement crée son canal au-delà d’une tension de seuil, tandis que le MOS à enrichissement possède un canal préalable.
Les deux types créent leur canal au-delà d’une tension de seuil, mais leurs courants de grille diffèrent selon le montage.
Les deux types possèdent un canal préalable, mais leurs tensions de drain diffèrent selon le type de substrat.
Le MOS à appauvrissement possède un canal préalable, tandis que le MOS à enrichissement crée son canal au-delà d’une tension de seuil.

Le MOS à appauvrissement possède un canal préalable, tandis que le MOS à enrichissement crée son canal au-delà d’une tension de seuil.

Explication

Le MOS à appauvrissement dispose déjà d’un canal et peut fonctionner pour des tensions de grille positives ou négatives, tandis que le MOS à enrichissement doit créer ce canal. L’idée d’un canal préalable pour les deux types confond leurs modes de fonctionnement.

56. Pour un MOS à enrichissement canal N dont VGS<VSV_{GS}<V_S, quelle valeur prend le courant de drain dans le modèle considéré ?

ID=0I_D=0
ID=IDSS(VS−VGSVS)2I_D=I_{DSS}\left(\frac{V_S-V_{GS}}{V_S}\right)^2
ID=IDSS(VGS−VSVS)2I_D=I_{DSS}\left(\frac{V_{GS}-V_S}{V_S}\right)^2
ID=IDSSVGSVSI_D=I_{DSS}\frac{V_{GS}}{V_S}

$$I_D=0$$

Explication

Lorsque VGSV_{GS} reste inférieur à la tension de seuil VSV_S, le canal d’un MOS à enrichissement n’est pas créé et le courant de drain est nul. La relation quadratique s’applique lorsque VGS≥VSV_{GS}\geq V_S.

57. Quelle condition définit la saturation d’un transistor bipolaire NPN ?

VCE<VCEsatV_{CE}<V_{CEsat}, avec VCEsatV_{CEsat} d’environ 0,3 à 0,4 V
IC=βIBI_C=\beta I_B, avec une tension collecteur-émetteur proche de zéro
VBE<0,3 VV_{BE}<0,3\ \text{V}, avec VCEV_{CE} supérieur à la tension d’alimentation
VCE>VCEsatV_{CE}>V_{CEsat}, avec VCEsatV_{CEsat} d’environ 0,3 à 0,4 V

$$V_{CE}<V_{CEsat}$$, avec $$V_{CEsat}$$ d’environ 0,3 à 0,4 V

Explication

La saturation correspond à une faible tension collecteur-émetteur, inférieure à VCEsatV_{CEsat}, dont la valeur est approximativement comprise entre 0,3 et 0,4 V. La condition VCE>VCEsatV_{CE}>V_{CEsat} caractérise plutôt la zone linéaire.

58. Dans quelle situation un transistor bipolaire NPN fonctionne-t-il en zone linéaire ?

Lorsque VCE<VCEsatV_{CE}<V_{CEsat}, avec un courant ICI_C principalement fixé par la tension collecteur-émetteur.
Lorsque VCE>VCEsatV_{CE}>V_{CEsat}, avec un courant ICI_C peu dépendant de VCEV_{CE} et approximativement proportionnel à IBI_B.
Lorsque VCE=VCEsatV_{CE}=V_{CEsat}, avec un courant ICI_C indépendant du courant de base.
Lorsque VBE=0V_{BE}=0, avec un courant ICI_C approximativement proportionnel à VCEV_{CE}.

Lorsque $$V_{CE}>V_{CEsat}$$, avec un courant $$I_C$$ peu dépendant de $$V_{CE}$$ et approximativement proportionnel à $$I_B$$.

Explication

En zone linéaire, VCEV_{CE} est supérieur à VCEsatV_{CEsat}, tandis que ICI_C dépend peu de VCEV_{CE} et suit approximativement IBI_B. La dépendance forte au circuit externe apparaît plutôt en saturation.

59. Quel modèle statique simplifié décrit un transistor bipolaire NPN en zone linéaire ?

IC=IBβI_C=\frac{I_B}{\beta} et VBE=0V_{BE}=0, avec V0V_0 égal à 0,6 ou 0,7 V
IC=IB+βI_C=I_B+\beta et VBE=VCEV_{BE}=V_{CE}, avec V0V_0 égal à 1 V
IC=βIBI_C=\beta I_B et VBE=V0V_{BE}=V_0, avec V0V_0 égal à 0,6 ou 0,7 V
IC=βVCEI_C=\beta V_{CE} et VBE=IBV0V_{BE}=I_BV_0, avec V0V_0 égal à 0,3 V

$$I_C=\beta I_B$$ et $$V_{BE}=V_0$$, avec $$V_0$$ égal à 0,6 ou 0,7 V

Explication

Le modèle simplifié relie le courant collecteur au courant de base par IC=βIBI_C=\beta I_B et considère une tension base-émetteur constante VBE=V0V_{BE}=V_0. Cette tension vaut approximativement 0,6 ou 0,7 V pour le transistor en fonctionnement linéaire.

60. En commutation, que se passe-t-il lorsque la tension base-émetteur d’un transistor NPN est nulle ?

Le transistor est bloqué et le courant collecteur devient très faible.
Le transistor devient conducteur et sa tension collecteur-émetteur tend vers zéro.
Le transistor est en zone linéaire et le courant collecteur vaut βIB\beta I_B.
Le transistor est saturé et le courant collecteur atteint sa valeur maximale.

Le transistor est bloqué et le courant collecteur devient très faible.

Explication

Avec vBE=0v_{BE}=0, le transistor est bloqué et son courant collecteur devient très faible. La conduction et la tendance vers la saturation apparaissent lorsque vBE>0v_{BE}>0.

61. Quel est l’objectif principal de la polarisation d’un transistor ?

Positionner son point de fonctionnement dans la saturation pour amplifier les signaux.
Placer son point de fonctionnement statique dans la zone linéaire.
Réduire sa tension base-émetteur jusqu’à annuler le courant collecteur.
Faire fonctionner son point de repos entre le blocage et la saturation.

Placer son point de fonctionnement statique dans la zone linéaire.

Explication

La polarisation consiste à fixer le point de fonctionnement statique dans la zone linéaire afin de permettre l’amplification. Le blocage et la saturation correspondent plutôt au fonctionnement en commutation.

62. Après le calcul du point de repos, quelle vérification permet de confirmer la polarisation en zone linéaire ?

Vérifier que VBE=0V_{BE}=0 avant de calculer le courant collecteur.
Vérifier que IC=0I_C=0 avant d’appliquer le modèle du transistor.
Vérifier que VCE≤VCEsatV_{CE}\leq V_{CEsat} avant d’utiliser IC=βIBI_C=\beta I_B.
Vérifier que VCE>VCEsatV_{CE}>V_{CEsat} avant d’utiliser IC=βIBI_C=\beta I_B.

Vérifier que $$V_{CE}>V_{CEsat}$$ avant d’utiliser $$I_C=\beta I_B$$.

Explication

La condition VCE>VCEsatV_{CE}>V_{CEsat} confirme que le transistor n’est pas en saturation et autorise l’emploi de la relation IC=βIBI_C=\beta I_B. Si VCE≤VCEsatV_{CE}\leq V_{CEsat}, le modèle linéaire n’est plus valable.

63. Comment définit-on le coefficient de sensibilité relative du courant collecteur à une variable XX ?

SXIC=1XIC∂IC∂XS_X^{I_C}=\frac{1}{X I_C}\frac{\partial I_C}{\partial X}
SXIC=ICX∂X∂ICS_X^{I_C}=\frac{I_C}{X}\frac{\partial X}{\partial I_C}
SXIC=XIC∂IC∂XS_X^{I_C}=X I_C\frac{\partial I_C}{\partial X}
SXIC=XIC∂IC∂XS_X^{I_C}=\frac{X}{I_C}\frac{\partial I_C}{\partial X}

$$S_X^{I_C}=\frac{X}{I_C}\frac{\partial I_C}{\partial X}$$

Explication

La sensibilité relative compare la variation relative de ICI_C à celle de XX et s’écrit XIC∂IC∂X\frac{X}{I_C}\frac{\partial I_C}{\partial X}. L’expression inverse échangerait le rôle de la grandeur étudiée et de la variable perturbatrice.

64. Quelle association entre une configuration d’amplificateur et sa caractéristique est correcte ?

Le collecteur commun fournit généralement un gain élevé et inversé, tandis que l’émetteur commun a un gain proche de 1.
La base commune fournit généralement un gain inversé élevé, tandis que la charge répartie a un gain nul.
La charge répartie fournit généralement un gain positif élevé dépendant fortement de β\beta, tandis que la base commune a un gain nul.
L’émetteur commun fournit généralement un gain élevé et inversé, tandis que le collecteur commun a un gain proche de 1.

L’émetteur commun fournit généralement un gain élevé et inversé, tandis que le collecteur commun a un gain proche de 1.

Explication

L’émetteur commun est associé à un gain élevé et inversé, alors que le collecteur commun présente un gain proche de 1 et sert notamment à l’adaptation d’impédances. Les autres associations attribuent à ces montages des caractéristiques qui appartiennent à d’autres configurations.

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Quels sont les trois domaines de l’électronique ?

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