QCM : Diodes, transistors et AOP (15 questions)

Questions et réponses du QCM

1. Concernant la conduction d’une diode, cochez la (les) proposition(s) exacte(s) :

La tension aux bornes de la diode reste proche de 0,6 V lorsque le courant varie fortement.
Une polarisation inverse favorise normalement la conduction de la diode.
La conduction nécessite que la tension dépasse une valeur seuil.
La polarisation directe permet normalement le passage du courant.
Une diode conduit lorsque l’anode est plus positive que la cathode.

La conduction nécessite que la tension dépasse une valeur seuil. · La polarisation directe permet normalement le passage du courant. · Une diode conduit lorsque l’anode est plus positive que la cathode.

Explication

Une diode conduit lorsque l’anode est plus positive que la cathode et que la tension dépasse le seuil. La polarisation directe permet la conduction, tandis que la polarisation inverse bloque normalement la diode. Lorsque le courant traversant fortement la diode varie, sa tension reste approximativement constante autour de 0,7 V.

2. Parmi les propositions suivantes concernant la tension d’alimentation d’un circuit à diode, la(les)quelle(s) est(sont) exacte(s) ?

Avec V=4 VV=4\,\mathrm{V}, Ud=0,7 VU_d=0,7\,\mathrm{V}, ULED=2,2 VU_{LED}=2,2\,\mathrm{V} et I=0,01 AI=0,01\,\mathrm{A}, la résistance vaut R1=120 ΩR_1=120\,\Omega.
La tension d’alimentation vérifie V=Ud+UR+ULEDV = U_d + U_R + U_{LED}.
La tension d’alimentation vérifie V=Ud+UR−ULEDV = U_d + U_R - U_{LED}.
La tension aux bornes de la résistance intervient dans la somme des tensions.
La tension directe de la diode intervient dans la relation d’alimentation.

La tension d’alimentation vérifie $$V = U_d + U_R + U_{LED}$$. · La tension aux bornes de la résistance intervient dans la somme des tensions. · La tension directe de la diode intervient dans la relation d’alimentation.

Explication

La loi de tension du circuit est V=Ud+UR+ULEDV = U_d + U_R + U_{LED}. La tension de la résistance ainsi que les tensions directes des composants interviennent dans cette somme. Avec les valeurs données, la résistance vaut R1=110 ΩR_1=110\,\Omega.

3. À propos des tensions caractéristiques d’une diode Zener, quelles sont les réponses exactes ?

La tension UdU_d correspond au fonctionnement direct de la diode.
La tension UzU_z caractérise la diode en polarisation directe.
En polarisation inverse, la diode Zener est caractérisée par UzU_z.
La polarisation inverse utilise la tension directe UdU_d comme grandeur caractéristique.
En polarisation directe, la tension utilisée est UdU_d.

La tension $$U_d$$ correspond au fonctionnement direct de la diode. · En polarisation inverse, la diode Zener est caractérisée par $$U_z$$. · En polarisation directe, la tension utilisée est $$U_d$$.

Explication

En polarisation inverse, la tension caractéristique d’une diode Zener est UzU_z. En polarisation directe, on utilise UdU_d ; les associations inversées entre ces tensions sont donc incorrectes.

4. Concernant le transistor bipolaire, la(les)quelle(s) est(sont) la(les) proposition(s) exacte(s) ?

Le transistor bipolaire est commandé en tension par sa base.
Le transistor bipolaire est commandé en courant par son collecteur.
Le transistor bipolaire possède une grille, un drain et une source.
Le transistor bipolaire possède un collecteur, un émetteur et une base.
Le transistor bipolaire comporte deux électrodes principales et une grille.

Le transistor bipolaire possède un collecteur, un émetteur et une base.

Explication

Le transistor bipolaire est un composant à trois électrodes : collecteur, émetteur et base. Il est commandé en courant par sa base, et non par une grille, une tension de base ou le collecteur.

5. Les relations caractérisant l’effet transistor comprennent :

Le gain β\beta relie le courant de collecteur au courant de base.
Le gain β\beta relie le courant de base à la tension VBEV_{BE}.
Le courant de collecteur vérifie IC=βIBI_C = \beta I_B.
Le courant de collecteur vérifie IC=IBβI_C = \frac{I_B}{\beta}.
La tension VBEV_{BE} représente le gain en courant du transistor.

Le gain $$\beta$$ relie le courant de collecteur au courant de base. · Le courant de collecteur vérifie $$I_C = \beta I_B$$.

Explication

L’effet transistor est décrit par IC=βIBI_C = \beta I_B, donc β\beta relie les courants de collecteur et de base. La tension VBEV_{BE} décrit la polarisation de la jonction base-émetteur et ne représente pas le gain.

6. Un transistor NPN est soumis à une tension base-émetteur donnée. Quelles propositions sont exactes ?

Si VBE≤0V_{BE}\leq 0, le transistor est bloqué.
Une tension base-émetteur dépassant le seuil peut conduire à la saturation.
Si VBEV_{BE} est inférieur au seuil, le transistor est saturé.
Si VBE≤0V_{BE}\leq 0, le transistor fonctionne en régime passant.
Au-delà du seuil, le transistor peut devenir passant.

Si $$V_{BE}\leq 0$$, le transistor est bloqué. · Une tension base-émetteur dépassant le seuil peut conduire à la saturation. · Au-delà du seuil, le transistor peut devenir passant.

Explication

Pour un transistor NPN, la condition VBE≤0V_{BE}\leq 0 correspond au blocage. Au-delà du seuil, le transistor peut être passant ou saturé ; une tension base-émetteur positive ne suffit pas à déterminer à elle seule le régime de fonctionnement.

7. À propos d’un transistor bipolaire saturé, cochez la (les) proposition(s) exacte(s) :

La tension VBEV_{BE} est proche de 0 V en saturation.
La tension VCEV_{CE} reste faible en saturation.
La valeur de VCEV_{CE} dépend du type de transistor.
La tension VBEV_{BE} vaut environ 0,6 à 0,7 V.
La tension VCEV_{CE} devient nécessairement élevée en saturation.

La tension $$V_{CE}$$ reste faible en saturation. · La valeur de $$V_{CE}$$ dépend du type de transistor. · La tension $$V_{BE}$$ vaut environ 0,6 à 0,7 V.

Explication

En saturation, VBEV_{BE} est voisine de 0,6 à 0,7 V et VCEV_{CE} reste faible. La valeur de VCEV_{CE} dépend toutefois du type de transistor ; elle n’est donc ni proche de 0 V pour VBEV_{BE} ni élevée pour VCEV_{CE}.

8. Concernant la commande et les électrodes d’un MOSFET canal N, la(les)quelle(s) est(sont) exacte(s) ?

Le MOSFET canal N est commandé par le courant de sa grille.
Un MOSFET canal N possède un collecteur, un émetteur et une base.
La commande du MOSFET canal N dépend de la tension drain-source.
La commande du MOSFET canal N s’effectue par le courant de source.
Un MOSFET canal N possède une grille, un drain et une source.

Un MOSFET canal N possède une grille, un drain et une source.

Explication

Le MOSFET canal N comporte une grille, un drain et une source. Sa commande s’effectue par la tension entre grille et source, et non par un courant de grille, de source ou par la tension drain-source.

9. Dans un MOSFET canal N en fonctionnement, quelles sont les réponses exactes ?

La commande du MOSFET s’effectue par le courant de grille.
La tension de commande est appliquée entre le drain et la source.
Le courant circule du drain vers la source.
Le courant principal circule entre la grille et la source.
Le courant de commande circule entre la grille et la source.

Le courant circule du drain vers la source.

Explication

Dans un MOSFET canal N, le courant principal circule du drain vers la source. La commande est réalisée par la tension entre la grille et la source, et la grille ne constitue pas le trajet du courant principal.

10. Un MOSFET canal N est utilisé comme interrupteur dans un circuit comportant une tension VCCV_{CC}. Quelles propositions sont exactes ?

À l’état bloqué, sa tension de sortie est proche de VCCV_{CC}.
La tension de sortie reste proche de VCCV_{CC} dans les deux états.
À l’état passant, sa tension de sortie est proche de VCCV_{CC}.
À l’état passant, sa tension de sortie est proche de 0 V.
À l’état bloqué, sa tension de sortie est proche de 0 V.

À l’état bloqué, sa tension de sortie est proche de $$V_{CC}$$. · À l’état passant, sa tension de sortie est proche de 0 V.

Explication

Un MOSFET bloqué présente une tension de sortie proche de VCCV_{CC}, tandis qu’un MOSFET passant présente une tension proche de 0 V. Les deux autres associations inversent ces états, et la tension ne reste pas identique dans les deux régimes.

11. Concernant la rétroaction négative d’un amplificateur opérationnel :

Elle établit le point de polarisation à partir du courant de base.
Elle augmente le gain en tension tout en conservant le régime linéaire.
Elle transforme l’amplificateur opérationnel en générateur de signaux périodiques.
Elle impose un fonctionnement saturé comparable à celui d’un comparateur.
Elle favorise le fonctionnement linéaire et diminue le gain en tension.

Elle favorise le fonctionnement linéaire et diminue le gain en tension.

Explication

La rétroaction négative favorise le régime linéaire et réduit le gain en tension. Le fonctionnement saturé caractérise plutôt le comparateur, tandis que le gain, la génération de signaux et le courant de base ne définissent pas cette rétroaction.

12. Un amplificateur non inverseur possède R1=1 kΩR_1=1\,\mathrm{k\Omega} et R2=4 kΩR_2=4\,\mathrm{k\Omega}. Concernant son gain en tension, quelle(s) proposition(s) est(sont) exacte(s) ?

Son gain en tension est donné par Av=1+R2R1A_v=1+\frac{R_2}{R_1}.
Son gain en tension est négatif comme celui d’un montage inverseur.
La valeur numérique de son gain en tension est Av=5A_v=5.
Son gain en tension est calculé par Av=R1R2A_v=\frac{R_1}{R_2}.
La valeur numérique de son gain en tension est Av=4A_v=4.

Son gain en tension est donné par $$A_v=1+\frac{R_2}{R_1}$$. · La valeur numérique de son gain en tension est $$A_v=5$$.

Explication

Pour un montage non inverseur, la relation est Av=1+R2R1A_v=1+\frac{R_2}{R_1}. Avec les résistances indiquées, elle donne Av=5A_v=5. Le gain non inverseur est positif et les deux autres expressions numériques ne correspondent pas à cette relation.

13. À propos du point de fonctionnement d’un circuit électrique :

Il dépend directement du courant de base choisi pour tracer une caractéristique de sortie.
Il est défini par l’intersection de la droite de charge et d’une caractéristique transistor.
Il traduit simultanément le comportement du générateur et celui du récepteur.
Il correspond à l’intersection de la caractéristique du générateur et du récepteur.
Il décrit le comportement interne du transistor dans un montage.

Il traduit simultanément le comportement du générateur et celui du récepteur. · Il correspond à l’intersection de la caractéristique du générateur et du récepteur.

Explication

Le point de fonctionnement est l’intersection des caractéristiques du générateur et du récepteur, ce qui traduit leur comportement simultané. Il ne dépend pas directement du courant de base choisi et ne correspond pas à l’intersection de la droite de charge avec une caractéristique du transistor. Cette dernière intersection définit le point de polarisation. La droite de charge décrit le comportement des éléments extérieurs au transistor.

14. Concernant le point de polarisation d’un transistor, cochez la (les) proposition(s) exacte(s) :

Il représente l’intersection des caractéristiques générales d’un générateur et d’un récepteur.
Il décrit le comportement des éléments externes indépendamment du transistor.
Il correspond au régime saturé obtenu par rétroaction négative.
Il se situe à l’intersection de la droite de charge et d’une caractéristique de sortie.
Il est déterminé sans considérer le courant de base imposé au transistor.

Il se situe à l’intersection de la droite de charge et d’une caractéristique de sortie.

Explication

Le point de polarisation est l’intersection de la droite de charge avec la caractéristique de sortie du transistor, pour un courant de base choisi. Les autres formulations décrivent le point de fonctionnement général, la droite de charge ou le fonctionnement d’un amplificateur opérationnel.

15. Les limites de la zone de fonctionnement sans danger d’un transistor comprennent :

Le courant de collecteur minimal, la puissance nominale et la tension émetteur-collecteur minimale.
Le courant de base maximal, la puissance minimale et la tension base-émetteur minimale.
Le courant de collecteur maximal, la puissance maximale et la tension collecteur-émetteur maximale.
La tension d’alimentation, le gain en tension et la température de fonctionnement.
La résistance de charge maximale, le gain en courant et la fréquence de coupure.

Le courant de collecteur maximal, la puissance maximale et la tension collecteur-émetteur maximale.

Explication

La zone de fonctionnement sans danger est définie par trois limites : le courant de collecteur maximal, la puissance maximale et la tension collecteur-émetteur maximale. Les autres ensembles remplacent ces grandeurs par des paramètres qui ne définissent pas cette zone.

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Mémorisez les réponses avec 32 flashcards sur Diodes, transistors et AOP.

Quand une diode laisse-t-elle passer un courant ?

Quand le potentiel de l’anode dépasse celui de la cathode et la tension seuil est dépassée.

Quelle formule relie la tension d’alimentation et les tensions aux bornes d’une diode ?

V=Ud+UR+ULEDV = U_d + U_R + U_{LED}.

Quelle tension caractérise une diode Zener en polarisation inverse ?

La tension Zener UzU_z.

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